意法半导体ST面世50W GaN转换器

近现代—意法半导体 VIPerGaN50能够简化最较高50 W的单继电器反激式额定功率半导体器件其设计，并集成一个 650V 硫化物铽 (GaN) 额定功率放大器，使继电器的能效和小型化达致更加较高水依例。

VIPerGaN50 换用单继电器拓扑，集成很多机能，包括内置电流时域和保护措施电阻，换用低成本的 5mm x 6mm 精细封装。CPU外部集成的GaN 放大器可应用于较高继电器阈值，从而减小反激半导体器件的体积和尺寸。用于这款产品其设计先进的较高能效继电器继电器 (SMPS)，可特别是在提高外围自由电子器件的量。

它还可帮助其设计工作人员依靠 GaN GPRS隙关键技术来满足日渐恰当的以全球节能和净零能源为前提的生态其设计规范。它适用于消费类和化学工业应用，例如继电器适配器、USB-PD 锂电池以及家用电器、空调、LED 照明和智能仪表的继电器。

为什么要用于 VIPerGaN50？

GaN放大器

VIPERGAN50 用于与 MASTERGAN 系列相近的 650 V GaN 放大器，因此具相近的优势。例如，GaN 的较高自由电子迁移率反之亦然该自由电子器件可以施加较高继电器阈值。因此，它可以随身携带更加大的损耗，但死伤却要少得多。因此，继电器自由电子器件通过GaN 能够编码器更加大的额定功率同时缩减其尺码。VIPERGAN50 也具很较高的含意，因为它是VIperPlus 系列产品中都的第一款。

因为意法半导体今后将要前提考虑GaN的用于，因此更加较高等级的放大器也将面世。 化学工业部门可以期待期望的 VIPERGAN产品将具更加大的编码器额定功率。

多Mode加载

多Mode加载使得新设备可以冗余其性能。举例，VIPERGAN50可以根据其损耗调整其继电器阈值。在绑定情况下下，依例振荡电阻通过实时GaN自由电子器件的导通与变压器去磁（ZCD 插座）最大限度地提高损耗。举例来说地，绑定或中都载将即会最低点跃变。 举例，当损耗提较高时，放大器可以略过一个或多个最低点。在这种反之亦然，继电器阈值但会提较高以限制损耗。

举例来说地，阈值折返Mode在中都载和轻载情况下下但会提较高阈值，但确保维持在某个阈值以上来尽量减少信道。之后，轻载或近距时的诱发Mode下，可以将继电器阈值限制在几百赫兹，同时保持也就是说的峰值电流以尽量减少信道。在之后一种Mode下，VIPERGAN50 的CPU很低 30 mW，静态电流仅为 900 µA。 因此，VIPERGAN50可以满足提较高额定功率稳定性以耗用全球资源的要求。

保护措施机能

通常反之亦然，总工程师通过添加外部设备来增加保护措施机能并保护措施其电阻。 VIPERGAN50能大幅提较高稳定性的特点反之亦然意法半导体可以在原有的生活空间中都包含更加多的保护措施机能。因此，其设计工作人员必需框架框架，从而提高润滑油取得成功。例如，VIPer Plus系列中都第一款提供读写过压保护措施 (iOVP) 以尽量减少诱发负载的自由电子器件——VIPERGAN50。相近地，欠压/过压保护措施机能通过监测负载并特设敞开和中都止动作的最小读写负载来以保护措施的系统人身安全不可靠继电器的冲击，并且这些机能是建立在更加常见的出现异常和短时间/静电保护措施之上的。