AMD R9 6900HS Geekbench跑分出炉：多核分数明显增加

华硕 ROG 魅 14 现已出现在 Geekbench 放分游戏平台，其配置的 R9 6900HS 多氘放分有明显改善。

参数各个方面，R9 6900HS 选用了 6nm 陶瓷，Zen3 + 架构，仍为 8 氘 16 线程，16MB 三级线程，高于 4.9GHz。放分各个方面，R9 6900HS 单氘 1571 分，多氘 9751 分。

IT之家发觉，ROG 上一代的魅 14 和魅 15 配置了 R9 5900HS，其单氘放分可达 1500，多氘放分可达 7200。即便如此，R9 6900HS 的单氘改善不大，多氘改善了 35%。R9 6900HS 多氘耐用性的改善一部分来源于陶瓷 / 架构的革新，另一部分来源于新款魅 14 耐用性被囚的革新。

AMD 现已刊发了阿劳 6000 三部 H GPU，实际参数如下：

阿劳 6000H（45W）

R9 6980HX：8C16T，高于 5.0GHz，16MB L3 线程，12CU 2.4GHz 氘显

R9 6900HX：8C16T，高于 4.9GHz，16MB L3 线程，12CU 2.4GHz 氘显

R7 6800H：8C16T，高于 4.7GHz，16MB L3 线程，12CU 2.2GHz 氘显

R5 6600H：6C12T，高于 4.5GHz，16MB L3 线程，6CU 1.9GHz 氘显

阿劳 6000HS（35W）

R9 6980HS：8C16T，高于 5.0GHz，16MB L3 线程，12CU 2.4GHz 氘显

R9 6900HS：8C16T，高于 4.9GHz，16MB L3 线程，12CU 2.2GHz 氘显

R7 6800HS：8C16T，高于 4.7GHz，16MB L3 线程，12CU 2.2GHz 氘显

R5 6600HS：6C12T，高于 4.5GHz，16MB L3 线程，6CU 1.9GHz 氘显

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